伴随中国电子展在成长—中国电子展八十届庆典展商专访
伴随文献链接：Machinelearningforalloys.NatureReviewsMaterials,2021,DOI:10.1038/s41578-021-00340-w.本文由CQR编译。 可以看到，中国展中国展展商专访在不全位错进行第二次滑动的时候，会形成HCP的堆垛顺序，也即发生了FCC→HCP的相变。如图1所示，电电在本高熵合金中，位错的钉扎可以使位错密度增加，从而提高了合金的位错贮存能力，有利于合金塑性的提高。
(d)L3与位错2在同一滑移平面上形成并扩展[1]. 2）CrCoNi中熵合金中层错驱动的相变FCC→HCP是一类重要的相变，成长已被很多研究者报道过，成长但其机理非常微妙，远未揭示清楚。非对称晶界包含由一系列位错，庆典其中位错的原子间距由倾斜的角度决定。图3文献综述了不同剧烈塑性变形和粉末烧结法制备纯铜的屈服强度与导电性/热稳定性的关系，伴随(a)屈服强度与电导率。
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